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Transistor di potenza
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Articolo
MOSFET onsemi, canale N, 210 mΩ, 7 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale
Quantità:
pacchetto
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
3369E-1952461
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
NCV8406BDTRKG
EAN/GTIN:
5059045347385
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
Relè MOSFET
Relè SMD
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 7 A
Tensione massima drain source = 60 V
Tipo di package = DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 210 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2V
Tensione di soglia gate minima = 1.2V
Dissipazione di potenza massima = 1,81 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±14 V
Larghezza = 6.22mm
Standard per uso automobilistico = AEC-Q101mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
7 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
210 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2V
Tensione di soglia gate minima:
1.2V
Dissipazione di potenza massima:
1,81 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±14 V
Lunghezza:
6.73mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
relè mosfet
,
1952461
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
NCV8406BDTRKG
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