Memoria SRAM Infineon da 1Mbit, 64k x 16 bit, 44 Pin, SOJ, Montaggio superficiale

Questo dispositivo è dotato di una funzione di spegnimento automatico che riduce notevolmente il consumo energetico quando è deselezionato. La scrittura sul dispositivo viene effettuata prendendo GLI ingressi chip Enable (CE) e Write Enable (WE) BASSI. Se il BLE (byte Low Enable) È BASSO, i dati provenienti dai pin i/o (da i/O0 a i/O7) vengono scritti nella posizione specificata sui pin dellindirizzo (da A0 a A15). Se byte High Enable (BHE) È BASSO, i dati dai pin i/o (da i/O8 a i/O15) vengono scritti nella posizione specificata sui pin dellindirizzo (da A0 a A15). La lettura dal dispositivo viene effettuata prendendo IL chip Enable (CE) e Output Enable (OE) LOW mentre si forza IL Write Enable (WE) HIGH. Se il BLE (byte Low Enable) È BASSO, i dati dalla posizione di memoria specificata dai pin dellindirizzo verranno visualizzati da i/O0 a i/O7. Se byte High Enable (BHE) È BASSO, i dati dalla memoria appariranno su i/O8 a i/O15. Per una descrizione completa delle modalità di lettura e scrittura, vedere la tabella della verità alla fine di questa scheda tecnica.