Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-1948912 N. Art. Produtt.:
CY7C1021D-10VXI EAN/GTIN:
n.d. |
| | Termini di ricerca: SRAM |
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| Questo dispositivo è dotato di una funzione di spegnimento automatico che riduce notevolmente il consumo energetico quando è deselezionato. I pin di ingresso e uscita (da i/O0 a i/O15) sono collocati in uno stato di impedenza alta quando il dispositivo è deselezionato (CE HIGH), le uscite sono disattivate (OE HIGH), BHE e BLE sono disattivate (BHE, BLE HIGH) o durante unoperazione di scrittura (CE LOW e WE LOW). Scrivere sul dispositivo tenendo BASSI gli ingressi chip Enable (CE) e Write Enable (WE). Se il BLE (byte Low Enable) È BASSO, i dati provenienti dai pin i/o (da i/O0 a i/O7) vengono scritti nella posizione specificata sui pin dellindirizzo (da A0 a A15). Se byte High Enable (BHE) È BASSO, i dati dai pin i/o (da i/O8 a i/O15) vengono scritti nella posizione specificata sui pin dellindirizzo (da A0 a A15). Altre informazioni: | | Dimensioni memoria: | 1Mbit | Organizzazione: | 64k x 16 bit | Numero di parole: | 64k | Numero di bit per parola: | 16bit | Tempo di accesso casuale massimo: | 10ns | Larghezza del bus indirizzi: | 16bit | Frequenza di clock: | 1MHz | Temporizzazione: | Asincrono | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Tipo di package: | SOJ | Numero pin: | 44 | Dimensioni: | 1.13 x 0.405 x 0.12poll | Altezza: | 3.05mm | Tensione di alimentazione operativa massima: | 5 V | Lunghezza: | 28.7mm |
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| Altri termini di ricerca: 1948912, Semiconduttori, Memorie, Infineon, CY7C1021D10VXI |
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