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MOSFET IXYS, canale N, 270 mΩ, 26 A, TO-247, Su foro


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-194451
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFH26N60P
EAN/GTIN:
     5059041195218
Termini di ricerca:
Diodo a recupero rapido
Diodi a recupero rapido
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS. MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
26 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
HiperFET, Polar
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
270 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Dissipazione di potenza massima:
460 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
16.26mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: transistor di potenza, 194451, Semiconduttori, Discreti, IXYS, IXFH26N60P
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