Memoria Flash Infineon, 512Mbit, BGA, 64 Pin, CFI

Tecnologia MirrorBit Eclipse a 63 nm Alimentazione singola (Vcc) per lettura / programmazione / cancellazione (da 2,7 V a 3,6 V) Funzione i/o versatile Ampia gamma di tensione i/o (VIO): Da 1,65 V a Vcc bus dati x8/x16 Lettura asincrona della pagina a 32 byte Buffer di programmazione da 512 byte Programmazione in 12 byte Parola singola e programma multiplo sulle stesse opzioni di parola Controllo e correzione automatica degli errori (ECC) hardware interno ECC con correzione degli errori a bit singolo Cancellazione Settore Settori uniformi da 128 KB Comandi di sospensione e ripresa per le operazioni di programmazione e cancellazione I metodi di registrazione dello stato, polling dei dati e PIN Pronto/occupato per determinare lo stato del dispositivo Protezione Avanzata Del Settore (Advanced Sector Protection, Asp) Metodi di protezione volatili e non volatili per ciascun settore Array Otp (One Time Program) a 2048 byte separato Quattro aree bloccabili (SSR0 - SSR3) SSR0 È Bloccato in fabbrica SSR3 è protezione lettura password Tabella dei parametri Common Flash Interface (CFI) Range Di Temperatura / Grado: Industriale (da -40 °C a +85 °C) Industrial Plus (da -40 °C a +105 °C) Esteso (da -40 °C a +125 °C) 100.000 Cicli Di Programmazione/Cancellazione conservazione dei dati per 20 anni፤