Memoria Flash Cypress Semiconductor, 1024Mbit, TSOP, 56 Pin, CFI

CMOS 3.0 Volt Core con i/o Versatile Tecnologia MirrorBit Eclipse a 65 nm Alimentazione singola (Vcc) per lettura / programmazione / cancellazione (da 2,7 V a 3,6 V) Funzione i/o versatile Ampia gamma di tensione i/o (VIO): Da 1,65 V a Vcc bus dati x16 Lettura asincrona della pagina a 32 byte Buffer di programmazione da 512 byte Programmazione in multipli di pagina, fino a un massimo di 512 byte Parola singola e programma multiplo sulle stesse opzioni di parola Controllo e correzione automatica degli errori (ECC) Hardware interno ECC con correzione degli errori a singolo bit Cancellazione Settore Settori 128Kb uniformi Comandi di sospensione e ripresa per le operazioni di programmazione e cancellazione I metodi di registrazione dello stato, polling dei dati e PIN Pronto/occupato per determinare lo stato del dispositivo Protezione Avanzata Del Settore (Advanced Sector Protection, Asp) Metodi di protezione volatili e non volatili per ciascun settore Array Otp (One Time Program) da 1024 byte separato con due aree bloccabili Tabella dei parametri Common Flash Interface (CFI) Range Di Temperatura / Grado Industriale (da -40 °C a +85 °C) Industrial Plus (da -40 °C a +105 °C) 100.000 Cicli Di Programmazione/Cancellazione 20 Anni Di Conservazione Dei Dati Opzioni Di Imballaggio 56pin TSOP BGA a 64 sfere, 13 mm x 11 mm BGA a 64 sfere con LAE, 9 mm x 9 mm BGA a 56 sfere con VBU, 9 mm x 7 mm