Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-1938456 N. Art. Produtt.:
CY621472E30LL-45ZSXI EAN/GTIN:
n.d. |
| | Termini di ricerca: SRAM |
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| Velocità molto elevata: 45 ns Gamma di temperature Industriale: Da –40 °C a +85 °C. Ampia gamma di tensione: Da 2,20 V a 3,60 V. Bassissima potenza in standby Corrente di standby tipica: 1 A. Corrente di standby massima: 7 A (industriale) Potenza attiva ultra bassa Corrente attiva tipica: 2 ma a f = 1 MHz Facile espansione della memoria grazie Alle Funzioni CE1, CE2 e OE Spegnimento automatico se deselezionato Semiconduttore di ossido metallico complementare (CMOS) per velocità e potenza ottimali Disponibile in contenitore TSOP II sottile a 44 pin senza piombo Funzione di spegnimento byte Altre informazioni: | | Dimensioni memoria: | 4Mbit | Organizzazione: | 256k x 16 bit | Numero di parole: | 256k | Numero di bit per parola: | 16bit | Tempo di accesso casuale massimo: | 45ns | Larghezza del bus indirizzi: | 16bit | Frequenza di clock: | 1MHz | Bassa potenza: | Sì | Temporizzazione: | Asincrono | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Tipo di package: | TSOP II | Numero pin: | 44 | Dimensioni: | 18.517 x 10.262 x 1.044mm | Altezza: | 1.04mm | Tensione di alimentazione operativa massima: | 3,6 V |
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| Altri termini di ricerca: 1938456, Semiconduttori, Memorie, Infineon, CY621472E30LL45ZSXI |
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