MOSFET STMicroelectronics, canale N, 3,5 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale

Questo MOSFET di potenza a canale N ad alta tensione fa parte della serie di diodi a recupero rapido MDmesh™ DM2. Offre una carica di recupero molto bassa (Qrr) e tempo (trr) combinati con bassa RDS(on), il che lo rende adatto per i convertitori ad alta efficienza più impegnativi e ideale per topologie a ponte e convertitori a sfasamento ZVS.Diodo corpo a recupero rapido Carica di gate e capacità di ingresso estremamente basse Bassa resistenza in stato attivo Capacità dv/dt estremamente elevata Protezione Zener