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MOSFET IXYS, canale N, 33 mΩ, 86 A, SOT-227, Montaggio a vite


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-193464
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFN102N30P
EAN/GTIN:
     5059041201957
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza a canale N, serie HiperFET™ Polar™ IXYS. MOSFET di potenza a canale N con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™) IXYS
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
86 A
Tensione massima drain source:
300 V
Tipo di package:
SOT-227
Serie:
HiperFET, Polar
Tipo di montaggio:
Montaggio a vite
Numero pin:
4
Resistenza massima drain source:
33 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Dissipazione di potenza massima:
570 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
38.23mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 193464, Semiconduttori, Discreti, IXYS, IXFN102N30P
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