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Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 280 mΩ, 13 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1924936
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STB18N60M6
EAN/GTIN:
     5059045390534
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
La nuova tecnologia MDmesh M6 incorpora i più recenti progressi nella ben nota e consolidata famiglia MDmesh di MOSFET SJ. La STMicroelectronics si basa sulla generazione precedente di dispositivi MDmesh attraverso la sua nuova tecnologia M6, che combina un eccellente RDS(on) per area di miglioramento con uno dei comportamenti di commutazione più efficaci disponibili, nonché unesperienza di facile utilizzo per la massima efficienza delle applicazioni finali.Perdite di commutazione ridotte RDS(ON) inferiore per area rispetto alla generazione precedente Bassa resistenza di ingresso del gate Protezione Zener
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
13 A
Tipo di package:
D2PAK (TO-263)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
280 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.75V
Tensione di soglia gate minima:
3.25V
Dissipazione di potenza massima:
110 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±25 V
Lunghezza:
10.4mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, Transistori, Transistore, smd transistor, 1924936, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STB18N60M6
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