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Transistor MOSFET STMicroelectronics, canale N, 195 mΩ, 15 A, TO-220, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1924661
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STP26N60DM6
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 15 A
Tipo di package = TO-220
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 195 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4.75V
Tensione di soglia gate minima = 3.25V
Dissipazione di potenza massima = 110 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±25 V
Massima temperatura operativa = +150 °Cmm
Minima temperatura operativa = -55 °CV
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
15 A
Tipo di package:
TO-220
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
195 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.75V
Tensione di soglia gate minima:
3.25V
Dissipazione di potenza massima:
110 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±25 V
Lunghezza:
10.4mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, Transistori, Transistore, transistor a effetto campo, 1924661, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STP26N60DM6
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