Driver gate MOSFET L6491D, 4 A, 20V, SO, 14-Pin

L6491 è un dispositivo ad alta tensione realizzato con la tecnologia ″OFF-LINE″ BCD6. E un driver di gate a semiponte a chip singolo per MOSFET di potenza a canale N o IGBT. La sezione high-side (flottante) è progettata per una guida di tensione fino a 600 V. Gli ingressi logici sono compatibili CMOS/TTL fino a 3,3 V per un facile interfacciamento microcontrollore/DSP. Un comparatore integrato è disponibile per una rapida protezione contro sovracorrente, sovratemperatura, eccGuida alta tensione fino a 600 V Immunità DV/dt ± 50 V/ns in gamma di temperatura completa Capacità di corrente del driver: Sorgente/sink da 4 A. Tempi di commutazione 15 ns salita/discesa con carico 1 nF Ingressi TTL/CMOS a 3,3 V o 5 V con isteresi Diodo bootstrap integrato Comparatore per protezioni di guasto Funzione di spegnimento intelligente Tempo morto regolabile Funzione di blocco interno Layout compatto e semplificato Riduzione del numero di componenti Protezione efficace contro i guasti Progettazione flessibile, semplice e rapida Applications Driver per elettrodomestici, automazione industriale, azionamenti industriali e ventilatori Reattori HID Unità di alimentazione Riscaldamento ad induzione Caricabatterie wireless Inverter industriali UPS