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MOSFET Vishay, canale N, 235 mΩ, 17,4 A, TO-247AD, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1884880
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHW21N80AE-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 17,4 A
Tensione massima drain source = 800 V
Tipo di package = TO-247AD
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 235 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Tensione di soglia gate minima = 2V
Dissipazione di potenza massima = 32 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±30 V
Larghezza = 5.31mm
Altezza = 21.46mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
17,4 A
Tensione massima drain source:
800 V
Tipo di package:
TO-247AD
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
235 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
32 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±30 V
Lunghezza:
16.26mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: MOSFET, transistor a effetto campo, 1884880, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIHW21N80AEGE3
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