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MOSFET Vishay, canale N, 40 mΩ, 61 A, TO247AC, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1884875
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SIHG039N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 61 A
Tensione massima drain source = 600 V
Tipo di package = TO247AC
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 40 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 5V
Tensione di soglia gate minima = 3V
Dissipazione di potenza massima = 357 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±30 V
Carica gate tipica @ Vgs = 84 nC @ 10 V.mm
Minima temperatura operativa = -55 °CV
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
61 A
Tensione massima drain source:
600 V
Tipo di package:
TO247AC
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
40 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
357 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±30 V
Lunghezza:
15.87mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1884875, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SIHG039N60EFGE3
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