Memoria FRAM Cypress Semiconductor, Seriale SPI, 2Mbit, SOIC, 256000 byte x 8 bit, AEC-Q100

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 2 Mbit (F-RAM) organizzata logicamente come 256K x 8 Durata praticamente illimitata di 10 trilioni (1013) di cicli di lettura/scrittura conservazione dei dati per 121 anni NoDelay™ scrive Processo ferroelettrico ad alta affidabilità Advanced Interfaccia periferica seriale veloce (SPI) Frequenza fino a 50 MHz Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1) Sofisticato schema di protezione da scrittura Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP) Protezione del software mediante listruzione Write Disable (WRDI) Protezione blocco software per 1/4, 1/2, o intero array ID dispositivo e numero di serie LID del dispositivo include lID del produttore e lID del prodotto ID univoco Numero Di Serie F-RAM dedicata per settore speciale da 256 byte Settore speciale dedicato scrittura e lettura I contenuti memorizzati possono sopravvivere fino a 3 cicli di saldatura a riflusso standard Basso consumo energetico 3,7 ma (tip.) di corrente attiva a 40 MHz Corrente di standby 2,7 μA (tip.) Corrente modalità Deep Down 1,1 μA (tip.) Corrente modalità ibernazione 0,1 μA (tip.) Funzionamento a bassa tensione: CY15V102QN: VDD = DA 1,71 V A 1,89 V. CY15B102QN: VDD = DA 1,8 V A 3,6 V. Temperatura di esercizio del settore automobilistico: Da -40 °C a +125 °C. Conformità AEC-Q100 di grado 1 Contenitore SOIC (Small Outline Integrated Circuit) a 8 pin