SDRAM W949D2DBJX5I, 512Mbit, 200MHz, Da 1,7 V a 1,95 V, VFBGA 90 Pin LPDDR

VDD = 1,7∼1,95 V. VDDQ = 1,7∼1,95 V. Larghezza dati: x16 / x32 Frequenza di clock: 200MHz (-5),166MHz (-6) Modalità di aggiornamento automatico standard Aggiornamento Automatico Parziale DellArray (Pasr) Aggiornamento Automatico Con Compensazione Della Temperatura (Atcsr) Modalità Di Spegnimento Modalità Deep Power Down (Dpd) Buffer di uscita programmabile con resistenza driver Quattro banchi interni per il funzionamento simultaneo Maschera dati (DM) per la scrittura dei dati Funzione di arresto dellorologio durante i periodi di inattività Opzione di precarica automatica per ogni accesso burst Velocità di trasmissione dati doppia per loutput dei dati Ingressi orologio differenziale (CK e CK) Bidirezionale, data strobe (DQS) Latenza CAS: 2 e 3 Lunghezza burst: 2, 4, 8 e 16 Tipo Burst: Sequenziale O Interleave Cicli di aggiornamento 8K/64 MS Interfaccia: Compatibile LVCMOS Pacchetto di supporto: 60 sfere VFBGA (x16) 90 sfere VFBGA (x32) Temperatura desercizio ESTESO: -25°C ≤ TCASE ≤ 85°C. INDUSTRIALE: -40°C ≤ TCASE ≤ 85°C.Si tratta di una SDRAM DDR a bassa potenza 512MB organizzata come 2M parole x 4 banchi x 32bits.Tipo Burst: Sequenziale O Interleave Modalità di aggiornamento automatico standard PASR, ATCSR, modalità Di Spegnimento、DPD Buffer di uscita programmabile con resistenza driver Quattro banchi interni per il funzionamento simultaneo I valori stroboscopici bidirezionali (DQS) sono trasmessi o ricevuti con i dati, per essere utilizzati nellacquisizione dei dati in corrispondenza del ricevitore