Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-1882551 N. Art. Produtt.:
W29N01HVBINF EAN/GTIN:
n.d. |
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| Densità : 1Gbit (soluzione a chip singolo) Vcc : da 2,7 V a 3,6 V. Larghezza bus: x8 Temperatura desercizio Industriale: da -40 a 85 °C Tecnologia SLC (Single Level Cell). Organizzazione Densità: 1 G-bit/128 M-byte Dimensioni pagina 2,112 byte (2048 + 64 byte) Dimensione del blocco 64 pagine (128K + 4K byte) Massime Prestazioni Prestazioni di lettura (max.) Lettura casuale: 25US Ciclo di lettura sequenziale: 25ns Prestazioni cancellazione scrittura Tempo di programmazione pagina: 250 us Tempo di cancellazione di blocco: 2 ms Durata 100.000 Cicli Di Cancellazione/Programma(1) conservazione dei dati per 10 anni Set di comandi Set di comandi NAND standard Supporto di comandi aggiuntivi Copia Indietro Basso consumo energetico Leggi: 25mA(tip.3V), Programma/Cancella: 25mA(tip.3V), CMOS standby: 10uA(tip.) Imballaggio Efficiente In Termini Di Spazio Standard a 48 pin TSOP1 VFBGA a 48 sfere VFBGA a 63 sfereMemoria flash NAND 1GB SLC con dimensioni pagina 2KB+64B uniformi.Larghezza bus: x8 Lettura casuale: 25US Tempo programma pagina: 250us(tip.) Tempo di cancellazione del blocco: 2ms(tip.) Altre informazioni: | | Dimensioni memoria: | 1Gbit | Interfacce: | Parallelo | Tipo di package: | VFBGA | Numero pin: | 63 | Organizzazione: | 128M x 8 bit | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Tipo di cella: | SLC NAND | Tensione di alimentazione operativa minima: | 2,7 V | Tensione di alimentazione operativa massima: | 3,6 V | Organizzazione a blocchi: | Simmetrico | Lunghezza: | 11.1mm | Altezza: | 0.6mm | Larghezza: | 9.1mm | Dimensioni: | 11.1 x 9.1 x 0.6mm | Massima temperatura operativa: | +85 °C |
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