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AEC-Q100 Driver gate MOSFET NCD57000DWR2G, 7,1 A, 7,8 A., 5V, SOIC, 16-Pin


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1861255
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NCD57000DWR2G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
Transistori
Transistore
UPS
Uscita a Corrente elevata (+4/-6 A) alle Tensioni dellIGBT Miller Plateau Ritardi Di Propagazione Brevi Con Corrispondenza Accurata Desaturazione con Soft Spento Morsetto Miller attivo e tensione gate Negativa Elevata Immunità Elettromagnetica E Transitoria Isolamento galvanico 5 kV Migliora lefficienza del sistema Migliora lintegrità del segnale PWM Protezione contro sovraccarico e cortocircuiti Impedisce laccensione della porta spuria Robustezza nelle applicazioni di commutazione ad alta tensione e corrente ad alta velocità di risposta Isolamento galvanico per separare i lati ad alta tensione e a bassa tensione per garantire sicurezza e protezione Applications Inverter solari Controllo motori UPS Alimentatori industriali Saldatura
Altre informazioni:
Corrente di uscita:
7,1 A, 7,8 A.
Tensione di alimentazione:
5V
Numero pin:
16
Tempo di discesa:
15ns
Tipo di package:
SOIC
Numero di uscite:
1
Tempo di salita:
10ns
Topologia:
Driver gate isolato
Numero di driver:
1
Ritardo:
90ns
Polarità:
Non-invertente
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Standard per uso automobilistico:
AEC-Q100
Altezza:
2.4mm
Lunghezza:
10.45mm
Altri termini di ricerca: transistor igbt, 1861255, Semiconduttori, Gestione alimentazione e potenza, Gate driver, onsemi, NCD57000DWR2G
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