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MOSFET onsemi, canale N, 6,4 mΩ, 80 A, DFN, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1857988
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDWS86068-F085
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET PowerTrench® a canale N 100 V, 80 A, 4,5 mΩRDS(on) tipico = 5,2 mΩ a VGS = 10 V, ID = 80 A. Qg(tot) tipico = 31 nC a VGS = 10 V, ID = 80 A. Funzionalità UIS Questi dispositivi sono senza piombo Fianchi bagnabile per lispezione ottica automatica (AOI) Applicazioni Controllo motori nel settore automobilistico Gestione della trasmissione Solenoide e azionamenti per motori Servosterzo elettronico
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
80 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
DFN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
6,4 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
214 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
5.1mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: Modulo Motion Control, Modulo di controllo del movimento, transistor a effetto campo, 1857988, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDWS86068F085
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