Memoria FRAM Cypress Semiconductor, I2C, 64kbit, SOIC, 8K x 8 bit, AEC-Q100

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 16 Kbit (F-RAM) organizzata logicamente come 2K x 8 Lettura/scrittura di 100 trilioni (1014) ad alta resistenza Conservazione dei dati per 151 anni (Vedere Conservazione dei dati e durata a pagina 12) NoDelay™ scrive processo ferroelettrico ad alta affidabilità advanced Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce Frequenza fino a 20 MHz Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1) Sofisticato schema di protezione da scrittura Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP) Protezione software mediante istruzione Write Disable Protezione blocco software per 1/4, 1/2, o intero array Basso consumo energetico 200 A di corrente attiva a 1 MHz Corrente di standby 3 A (tip.) Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,7 V a 3,6 V. Temperatura industriale: Da –40 C a +85 C Involucri Contenitore SOIC (Small Outline Integrated Circuit) a 8 pin Contenitore sottile a 8 pin con doppio cavo piatto senza fili (DFN)