Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-1827143 N. Art. Produtt.:
DGTD120T25S1PT EAN/GTIN:
5059045296263 |
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| Il DGTD120T25S1PT è prodotto utilizzando lavanzata tecnologia IGBT Field Stop Trench, che fornisce una bassa VCE(sat), uneccellente qualità e prestazioni di commutazione elevate.Commutazione ad alta velocità e bassa perdita VCE (sat) VCE(sat) = 2,0 V a IC = 25 A Elevata impedenza di ingresso trr = 100ns (tip.) a diF/dt = 500A/μs Recupero rapido ultra-dolce, diodo anti-parallelo Controllo della distribuzione VF ultra ridotto Coefficiente di temperatura positivo per un facile collegamento in parallelo Temperatura di giunzione massima 175°C Finitura senza piombo Senza alogeni e antimonio. Dispositivo ecologico Applicazioni Azionamento UPS Saldatrice Inverter fotovoltaico Piano di cottura IH Altre informazioni: | | Corrente massima continuativa collettore: | 50 A, 100 A (a impulsi) | Tensione massima collettore emitter: | 1200 V | Tensione massima gate emitter: | ±20V | Dissipazione di potenza massima: | 348 W | Numero di transistor: | 1 | Tipo di package: | TO-247 | Tipo di montaggio: | Su foro | Numero pin: | 3 | Configurazione transistor: | Singolo | Dimensioni: | 16.26 x 5.31 x 21.46mm | Capacità del gate: | 3942pF | Massima temperatura operativa: | +175 °C | Minima temperatura operativa: | -40 °C |
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| Altri termini di ricerca: transistor igbt, 1827143, Semiconduttori, Discreti, IGBT, DiodesZetex, DGTD120T25S1PT |
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