Memoria FRAM Infineon, I2C, 4kbit, SOIC, 512M x 8 bit, AEC-Q100

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 4 Kbit (F-RAM) organizzata logicamente come 512 x 8 Alta resistenza 100 trilioni (1014) letto/scrive Conservazione dei dati di 151 anni Scrive NODELAY™ Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità Interfaccia seriale veloce a 2 fili (I2C) Fino a 1 MHz di frequenza Sostituzione hardware diretta per EEPROM seriale (I2C) Supporta tempi legacy per 100 kHz e 400 kHz Basso consumo energetico Corrente attiva a 100 kHz Corrente di standby 3x10 A (tip.) Funzionamento in tensione: VDD = da 2,7 V a 3,65 V. Temperatura industriale: Da -40xC a +85xC Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin