Memoria FRAM Cypress Semiconductor, Seriale SPI, 64kbit, SOIC, 8K x 8 bit, AEC-Q100

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 64 Kbit (F-RAM) logicamente Organizzato come 8K x 8 Alta resistenza 10 trilioni (1013) letto/scrive Conservazione dei dati di 121 anni (vedere la conservazione dei dati e Tabella resistenza) Scrive NODELAY™ Advanced processo ferroelettrico ad alta affidabilità Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce Fino a 16 MHz di frequenza Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1) Sofisticato schema di protezione da scrittura Protezione hardware mediante il pin Write Protect (WP) Protezione del software mediante le istruzioni Write Disable Protezione blocco software per 1/4, 1/2 o intero array Basso consumo energetico 300 Mhz Una corrente attiva a 1 MHz Corrente di standby a +85xC 6x10-1 (tip.) Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 3,0 V a 3,6 V. Temperatura automotive-E: Da -40 a +125°C Contenitore SOIC (Small outline integrated circuit) a 8 pin