MOSFET onsemi, canale N, 2,3 mΩ, 222 A, TO-220F, Su foro

Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 222 A
Tensione massima drain source = 100 V
Tipo di package = TO-220F
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 2,3 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Tensione di soglia gate minima = 2V
Dissipazione di potenza massima = 45 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Massima temperatura operativa = +175 °C
Tensione diretta del diodo = 1.3V