Informazioni sul prodotto |  |
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| N. Articolo:
3369E-1811599 N. Art. Produtt.:
FM25V20A-DGQ EAN/GTIN:
5059045712800 |
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| Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 2 Mbit (F-RAM) logicamente Organizzato come 256 K x 8 Lettura/scrittura di 10 trilioni (1014) ad alta resistenza conservazione dei dati per 121 anni NoDelay™ scrive processo ferroelettrico ad alta affidabilità advanced Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce Frequenza fino a 33 MHz Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1) Sofisticato schema di protezione da scrittura Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP) Protezione software mediante istruzione Write Disable Protezione blocco software per 1/4, 1/2, o intero array ID dispositivo ID produttore e ID prodotto Basso consumo energetico Corrente attiva 3 ma a 33 MHz 400 A di corrente di standby 12 A modalità di attesa corrente Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V. Temperatura estesa: Da -40 °C a +105 °C. Contenitore sottile a 8 pin con doppio cavo piatto senza fili (DFN) Altre informazioni: | | Dimensioni memoria: | 2Mbit | Organizzazione: | 256 kB x 8 | Interfacce: | Seriale SPI | Larghezza del bus dati: | 8bit | Tempo di accesso casuale massimo: | 11ns | Tipo di montaggio: | Montaggio superficiale | Tipo di package: | DFN | Numero pin: | 8 | Dimensioni: | 6 x 5 x 0.7mm | Lunghezza: | 5mm | Tensione di alimentazione operativa massima: | 3,6 V | Larghezza: | 6mm | Altezza: | 0.7mm | Massima temperatura operativa: | +105 °C | Tensione di alimentazione operativa minima: | 2 V |
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| Altri termini di ricerca: memoria eeprom, 1811599, Semiconduttori, Memorie, Infineon, FM25V20ADGQ |
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