Memoria FRAM Infineon, Seriale SPI, 2Mbit, DFN, 256 kB x 8

Memoria ad accesso casuale ferroelettrica a 2 Mbit (F-RAM) logicamente Organizzato come 256 K x 8 Lettura/scrittura di 10 trilioni (1014) ad alta resistenza conservazione dei dati per 121 anni NoDelay™ scrive processo ferroelettrico ad alta affidabilità advanced Interfaccia periferica seriale (SPI) molto veloce Frequenza fino a 33 MHz Sostituzione hardware diretta per flash seriale ed EEPROM Supporta la modalità SPI 0 (0, 0) e la modalità 3 (1, 1) Sofisticato schema di protezione da scrittura Protezione hardware tramite il pin Write Protect (WP) Protezione software mediante istruzione Write Disable Protezione blocco software per 1/4, 1/2, o intero array ID dispositivo ID produttore e ID prodotto Basso consumo energetico Corrente attiva 3 ma a 33 MHz 400 A di corrente di standby 12 A modalità di attesa corrente Funzionamento a bassa tensione: VDD = da 2,0 V a 3,6 V. Temperatura estesa: Da -40 °C a +105 °C. Contenitore sottile a 8 pin con doppio cavo piatto senza fili (DFN)