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MOSFET onsemi, canale N, 0,035 Ω, 7,2 A, SOT-223, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1787632
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NDT451AN
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
transistor a effetto campo
MOSFET a canale N in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata (FET) vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata da Fairchild. Questo processo ad alta densità è stato ideato per ridurre al minimo la resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
7,2 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
SOT-223
Serie:
NDT451AN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
0,035 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3V
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
3 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
6.7mm
Altri termini di ricerca: 1787632, Semiconduttori, Discreti, MOSFET, onsemi, NDT451AN
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