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MOSFET onsemi, canale N, 770 mΩ, 500 mA, SOT-363, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1787601
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDG6303N
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
FET di giunzione
Transistor
MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata Fairchild. Questo processo ad altissima densità è stato ideato per ridurre al minimo le resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
500 mA
Tensione massima drain source:
25 V
Tipo di package:
SOT-363
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
770 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
0.65V
Dissipazione di potenza massima:
300 mW
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
+8 V
Lunghezza:
2mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
2
Altri termini di ricerca: Transistor di potenza, MOSFET, SMD transistor, Transistor SMD, transistor a effetto campo, 1787601, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDG6303N
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