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MOSFET onsemi, canale N, P, 1,9 Ω, 7 Ω, 220 mA, 410 mA, SOT-363, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1787600
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDG6322C
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
transistor a effetto campo
MOSFET doppio in modalità potenziata, Fairchild Semiconductor. I transistor a effetto di campo in modalità potenziata vengono prodotti utilizzando la tecnologia DMOS a elevata densità cellulare brevettata Fairchild. Questo processo ad altissima densità è stato ideato per ridurre al minimo le resistenza in stato attivo e garantisce prestazioni solide e affidabili nonché una commutazione rapida.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N, P
Corrente massima continuativa di drain:
220 mA, 410 mA
Tensione massima drain source:
25 V
Tipo di package:
SOT-363
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
1,9 Ω, 7 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
0.65V
Dissipazione di potenza massima:
300 mW
Configurazione transistor:
Isolato
Tensione massima gate source:
-8 V, +8 V
Lunghezza:
2mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
2
Altri termini di ricerca: 1787600, Semiconduttori, Discreti, MOSFET, onsemi, FDG6322C
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