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MOSFET Infineon, canale N, 3,5 Ω, 230 mA, SOT-23, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1787507
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     BSS138NH6433XTMA1
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
MOSFET di potenza
Transistor di potenza
MOSFET
mosfet di potenza
MOSFET canale N Infineon SIPMOS®
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
230 mA
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOT-23
Serie:
SIPMOS
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
3,5 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
1.4V
Tensione di soglia gate minima:
0.6V
Dissipazione di potenza massima:
360 mW
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
2.9mm
Altri termini di ricerca: 1787507, Semiconduttori, Discreti, Infineon, BSS138NH6433XTMA1
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