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MOSFET onsemi, canale N, 12 mΩ, 35 A, DFN, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1784304
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     NVMFS5C468NT1G
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET di potenza per uso automobilistico in contenitore con cavo piatto 5 x 6 mm ideato per progetti compatti ed efficienti prestazioni termiche incluse. Opzione con fiancata bagnabile disponibile per una migliore ispezione visiva. Adatto per applicazioni automobilistiche.Caratteristiche Ingombro ridotto (5 x 6 mm) Bassa resistenza RDS(on) Qg e capacità bassi Opzione con fiancata bagnabile Capacità PPAP Vantaggi Design compatto Riduzione al minimo delle perdite di conduzione Riduce le perdite di driver Ispezione visiva migliorata Applicazioni Protezione dalle inversioni di polarità della batteria Interruttori di alimentazione (driver high side e low side, H-bridge, ecc.) Alimentatori switching Prodotti finali Driver per solenoide - ABS, iniezione di carburante Controllo del motore - EPS, tergicristalli, ventilatori, sedili, ecc. Interruttore di distribuzione di carico - ECU, pannello, corpo
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
35 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
DFN
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
5
Resistenza massima drain source:
12 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.5V
Tensione di soglia gate minima:
2.5V
Dissipazione di potenza massima:
28 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
5.1mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1784304, Semiconduttori, Discreti, onsemi, NVMFS5C468NT1G
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