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MOSFET onsemi, canale N, 4,1 mΩ, 240 A, H-PSOF8L, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1784230
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     FDBL86066-F085
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 240 A
Tensione massima drain source = 100 V
Tipo di package = H-PSOF8L
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 8
Resistenza massima drain source = 4,1 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 4V
Tensione di soglia gate minima = 2V
Dissipazione di potenza massima = 300 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Massima temperatura operativa = +175 °Cmm
Altezza = 2.4mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
240 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
H-PSOF8L
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
4,1 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
300 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
9.9mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1784230, Semiconduttori, Discreti, onsemi, FDBL86066F085
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