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MOSFET Vishay Siliconix, canale N, 60 mΩ, 6 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1783727
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQS966ENW-T1_GE3
EAN/GTIN:
     n.d.
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET di potenza TrenchFET®
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
6 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
PowerPAK 1212-8
Serie:
TrenchFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
60 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Tensione di soglia gate minima:
1.5V
Dissipazione di potenza massima:
27,8 W
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
3.15mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1783727, Semiconduttori, Discreti, Vishay Siliconix, SQS966ENWT1_GE3
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