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MOSFET Vishay, canale P, 24 mΩ, 17 A, SOIC, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1733942
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQ4401EY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040689107
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale P, serie SQ Rugged, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
17 A
Tensione massima drain source:
40 V
Tipo di package:
SOIC
Serie:
SQ Rugged
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
24 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
1.5V
Dissipazione di potenza massima:
7,14 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: 1733942, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SQ4401EYT1GE3
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