MOSFET onsemi, canale N, 40 mΩ, 65 A, TO-247, Su foro

MOSFET SuperFET ® III è la nuovissima famiglia MOSFET di super-giunzione (SJ) ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per resistenza eccezionalmente bassa in stato attivo e prestazioni di bassa carica di gate. Questa tecnologia avanzata è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione, e resiste a estreme velocità dv/dt. Di conseguenza, MOSFET SuperFET III è perfetto per vari sistemi di alimentazione per la miniaturizzazione e una maggiore efficienza.700 V a TJ= 150 °C Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio Carica di gate estremamente bassa (tip. Qg = 78 nC) Minore perdita di commutazione Bassa capacità di uscita effettiva (Coss(eff.) = 715 pF) Minore perdita di commutazione Capacità ottimizzata Vds di picco inferiore e Vgs di oscillazione minore RDS(on) = 62 mΩ Garanzia di saldatura a onda Elaborazione Telecomunicazioni Industriale Telecomunicazioni/Server Inverter solari/UPS EVC