Categorie
Forniture per ufficio
Hardware, software, telecomunicazione
Attrezzi e strumenti
Elettronica, elettrotecnica
Arredamento aziendale, allestimento magazzini
Sicurezza sul lavoro
Forniture tecniche e industriali
Prodotti medicali, terapia, laboratorio
Domotica, impiantistica
Materiali per spedizioni e imballaggi
Hotel, gastronomia, alimenti, bevande
Pulizia
Altre categorie
Italia
Italiano
Deutschland
Deutsch
English
Österreich
Deutsch
English
Nederland
Nederlands
English
Italia
Italiano
English
France
Français
English
España
Español
English
United Kingdom
English
Ireland
English
Polska
Polski
English
Magyarország
Magyar
English
Schweiz
Deutsch
Français
Italiano
English
België
Nederlands
Français
Deutsch
English
My Mercateo
Accedi / Registrati
Accesso
Nuovo cliente?
Registrati ora
>
Profilo
Archivio ordini
Liste degli acquisti
Richieste d'acquisto
Carrello
Pagina iniziale
>
Elettronica, elettrotecnica
>
Componenti elettronici attivi
>
Raddrizzatore, diodi, transistori
>
Transistori
>
Transistor di potenza
>
Articolo
MOSFET onsemi, canale N, 27,4 mΩ, 75 A, TO-247, Su foro
Quantità:
pacco
Informazioni sul prodotto
Chiudi finestra
N. Articolo:
3369E-1723437
Produttore:
onsemi
N. Art. Produtt.:
NTH027N65S3F-F155
EAN/GTIN:
5059042309393
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 75 A
Tensione massima drain source = 650 V
Serie = NTH027N65S3F
Tipo di montaggio = Su foro
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 27,4 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 5V
Tensione di soglia gate minima = 3V
Dissipazione di potenza massima = 595 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±30 V
Larghezza = 4.82mm
Altezza = 20.82mm
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
75 A
Tensione massima drain source:
650 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
NTH027N65S3F
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
27,4 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
595 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±30 V
Lunghezza:
15.87mm
... >
Semiconduttori
>
Discreti
>
Mosfet
Altri termini di ricerca:
1723437
,
Semiconduttori
,
Discreti
,
onsemi
,
NTH027N65S3FF155
Riepilogo condizioni
1
Tempi di consegna
Stato magazzino
Prezzo
a partire da € 15,964*
Il prezzo è valido a partire da 3.000 pacchi
1 pacco contiene 1 pezzo (a partire da € 15,964* per pezzo)
Scegli condizioni
Consiglia articolo
Aggiungi alla lista d’acquisto
Prezzi progressivi
Quantità di ordine
Netto
Lordo
Unità
1 pacco
€ 23,536*
€ 28,714
per pacco
a partire da 2 pacchi
€ 23,436*
€ 28,592
per pacco
a partire da 5 pacchi
€ 21,916*
€ 26,738
per pacco
a partire da 10 pacchi
€ 20,295*
€ 24,76
per pacco
a partire da 20 pacchi
€ 19,335*
€ 23,589
per pacco
a partire da 50 pacchi
€ 18,762*
€ 22,89
per pacco
a partire da 100 pacchi
€ 18,27*
€ 22,289
per pacco
a partire da 250 pacchi
€ 17,824*
€ 21,745
per pacco
a partire da 3000 pacchi
€ 15,964*
€ 19,476
per pacco
* I prezzi contrassegnati con l'asterisco sono netti, IVA esclusa.
La nostra offerta è rivolta esclusivamente alle aziende, ai commercianti e ai liberi professionisti. Mercateo Italia s.r.l. - C.F. e P.IVA 02885620217
Chi siamo
Assistenza
Area stampa
Lavora con noi
Condizioni generali di contratto
Dati societari
Informativa sulla privacy
RSI
Impostazioni privacy