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MOSFET Taiwan Semiconductor, canale N, 13 mΩ, 55 A, DPAK (TO-252), Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1713608
Produttore:
     Taiwan Semiconductor
N. Art. Produtt.:
     TSM090N03CP
EAN/GTIN:
     5059041172073
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
Tipo di canale = N
Corrente massima continuativa di drain = 55 A
Tensione massima drain source = 30 V
Tipo di package = DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio = Montaggio superficiale
Numero pin = 3
Resistenza massima drain source = 13 mΩ
Modalità del canale = Enhancement
Tensione di soglia gate massima = 2.5V
Tensione di soglia gate minima = 1V
Dissipazione di potenza massima = 40 W
Configurazione transistor = Singolo
Tensione massima gate source = ±20 V
Carica gate tipica @ Vgs = 7,5 nC a 4,5 V
Tensione diretta del diodo = 1V
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
55 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
DPAK (TO-252)
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
13 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
2.5V
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
40 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
±20 V
Lunghezza:
6.5mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, smd transistor, 1713608, Semiconduttori, Discreti, Taiwan Semiconductor, TSM090N03CP
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