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MOSFET Infineon, canale N, 12,3 mΩ, 90 A, TO-252, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1711939
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPD068N10N3GATMA1
EAN/GTIN:
     5059043812458
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET di potenza Infineon OptiMOS™3, 100 V e superiori
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
90 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
TO-252
Serie:
OptiMOS™ 3
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
12,3 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
3.5V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
150 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
20 V
Lunghezza:
6.73mm
Altri termini di ricerca: 1711939, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPD068N10N3GATMA1
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