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MOSFET Vishay, canale N, 47 mΩ, 12 A, SOIC, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1708409
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQ4850EY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040664814
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
AEC-Q101. MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor. I MOSFET serie SQ di Vishay Semiconductor sono progettati per tutte le applicazioni automobilistiche che richiedono robustezza e un'elevata affidabilità. Vantaggi dei MOSFET serie SQ Rugged. Qualifica AEC-Q101 Temperatura di giunzione fino a +175 °C Tecnologie TrenchFET® a canale N e canale P con bassa resistenza all'accensione Innovative opzioni per contenitore salvaspazio
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
12 A
Tensione massima drain source:
60 V
Tipo di package:
SOIC
Serie:
SQ Rugged
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
47 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
1.5V
Dissipazione di potenza massima:
6,8 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
5mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: SMD transistor, Transistor SMD, mosfet 12a, smd transistor, 1708409, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SQ4850EYT1GE3
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