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MOSFET Vishay, canale P, 26 mΩ, 9,6 A, PowerPAK 1212-8, Montaggio superficiale


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Informazioni sul prodotto
Product Image
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N. Articolo:
     3369E-1708393
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SI7121DN-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040666283
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
MOSFET canale P, da 30V a 80V, Vishay Semiconductor
Altre informazioni:
Tipo di canale:
P
Corrente massima continuativa di drain:
9,6 A
Tensione massima drain source:
30 V
Tipo di package:
PowerPAK 1212-8
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
8
Resistenza massima drain source:
26 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
1V
Dissipazione di potenza massima:
27,8 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-25 V, +25 V
Lunghezza:
3.15mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Numero di elementi per chip:
1
Altri termini di ricerca: 1708393, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SI7121DNT1GE3
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