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MOSFET Vishay, canale N, 53 mΩ, 8 A, TSOP-6, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1708298
Produttore:
     Vishay
N. Art. Produtt.:
     SQ3460EV-T1_GE3
EAN/GTIN:
     5059040760004
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
AEC-Q101. MOSFET canale N, serie Automotive SQ Rugged, Vishay Semiconductor. I MOSFET serie SQ di Vishay Semiconductor sono progettati per tutte le applicazioni automobilistiche che richiedono robustezza e un'elevata affidabilità. Vantaggi dei MOSFET serie SQ Rugged. Qualifica AEC-Q101 Temperatura di giunzione fino a +175 °C Tecnologie TrenchFET® a canale N e canale P con bassa resistenza all'accensione Innovative opzioni per contenitore salvaspazio
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
8 A
Tensione massima drain source:
20 V
Tipo di package:
TSOP-6
Serie:
SQ Rugged
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
6
Resistenza massima drain source:
53 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate minima:
0.4V
Dissipazione di potenza massima:
3,6 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-8 V, +8 V
Lunghezza:
3.1mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1708298, Semiconduttori, Discreti, Vishay, SQ3460EVT1_GE3
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