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Diodo onsemi, Su foro, 1A, 30V, DO-41, Raddrizzatore Schottky


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1703488
Produttore:
     onsemi
N. Art. Produtt.:
     1N5818G
EAN/GTIN:
     5059042180497
Termini di ricerca:
Diodi
Diodo
Raddrizzatori
Raddrizzatore
Raddrizzatori con terminale assiale 1N5817/8/9 ON Semi. Questa serie è costituita da un diodo di potenza da metallo a silicio. Questi diodi sono forniti in metallo barriera al cromo, passivazione all'ossido e contatto di sovrapposizione in metallo. Vantaggi:. VF estremamente basso Bassa carica immagazzinata Conduzione del supporto per gran parte dei prodotti Bassa perdita di potenza/elevata efficienza. Caratteristiche:. Contenitore: sagomato in epossidico Peso: 0,4 grammi Finitura: tutte le superfici esterne sono resistenti alla corrosione e i terminali sono saldabili facilmente Temperatura del conduttore per la saldatura: 260 °C max per 10 secondi Polarità: catodo indicato dalla fascia di polarità. Applicazioni tipiche:. Inverter ad alta frequenza Diodi di ricircolo Diodo di protezione contro l'inversione di polarità
Altre informazioni:
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di package:
DO-41
Corrente massima continuativa di forward:
1A
Picco della tensione ripetitiva inversa:
30V
Configurazione diodi:
Singolo
Rettificatore:
Raddrizzatore Schottky
Diodo:
Schottky
Numero pin:
2
Caduta di tensione diretta massima:
550mV
Numero di elementi per chip:
1
Tecnologia del diodo:
Barriera Schottky
Diametro:
2.7mm
Corrente di picco su surge non ripetitiva:
25A
Altri termini di ricerca: Diodo raddrizzatore, Diodi raddrizzatori, Diodo Schottky, diodo raddrizzatore, 1703488, Semiconduttori, Discreti, Diodi Schottky e rettificatori, onsemi, 1N5818G
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