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MOSFET Infineon, canale N, 7,7 mΩ, 100 A, TO-220, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1702323
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IPP075N15N3GXKSA1
EAN/GTIN:
     5059043195971
Termini di ricerca:
Transistor di potenza
MOSFET
transistor di potenza
OptiMOS™ a 150 V raggiunge una riduzione R DS(on) del 40% e del 45% nella figura di merito (FOM) rispetto al migliore prodotto della concorrenza. Questo drastico miglioramento apre nuove possibilità, ad esempio il passaggio dai contenitori con conduttori ai contenitori SMD o la sostituzione efficace di due parti vecchie con un’unica parte OptiMOS™.Riepilogo delle caratteristiche: Eccellenti prestazioni di commutazione R DS(on) più bassa al mondo Q g e Q gd molto bassi Prodotto con uneccellente carica di gate R DS(on) (FOM) Senza alogeni Vantaggi: Ecologico Maggiore efficienza Massima densità di potenza Sono richiesti meno collegamenti in parallelo Minimo consumo di spazio su scheda Prodotti facili da progettare Applicazioni target: Rettifica sincrona per SMPS C.A.-C.C. Controllo di motori per i sistemi da 48 V-80 V (veicoli, utensili elettrici, autocarri) Convertitori C.C.-C.C. isolati (telecomunicazioni e sistemi di trasmissione dati) Interruttori Or-ing e interruttori automatici nei sistemi a 48 V Amplificatori audio di classe D Gruppi di continuità (UPS)
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
100 A
Tensione massima drain source:
150 V
Tipo di package:
TO-220
Serie:
OptiMOS™
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
7,7 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
300 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
20 V
Lunghezza:
10.36mm
Altri termini di ricerca: 1702323, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IPP075N15N3GXKSA1
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