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IGBT Infineon, VCE 600 V, IC 41 A, canale N, TO-220


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N. Articolo:
     3369E-1702258
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IKP20N60TXKSA1
EAN/GTIN:
     5059043195919
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
Corrente massima continuativa collettore = 41 A
Tensione massima collettore emitter = 600 V
Tensione massima gate emitter = ±20V
Dissipazione di potenza massima = 166 W
Tipo di package = TO-220
Tipo di montaggio = Su foro
Tipo di canale = N
Numero pin = 3
Configurazione transistor = Singolo
Dimensioni = 10.36 x 4.57 x 15.95mm
Massima temperatura operativa = +175 °C
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
41 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
166 W
Numero di transistor:
1
Tipo di package:
TO-220
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
10.36 x 4.57 x 15.95mm
Classe di efficienza energetica:
0.77mJ
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Minima temperatura operativa:
-40 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, 1702258, Semiconduttori, Discreti, IGBT, Infineon, IKP20N60TXKSA1
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Convertitore c.c.-c.c. 2W, Vin 4,5 → 5,5 V c.c., Vout -8.7 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ2D051509SC
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 3W, Vin 4,5 → 9 V c.c., Vout 5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ3T05150505MC-R7
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