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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 3,9 mΩ, 110 A, H2PAK-2, Montaggio superficiale


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N. Articolo:
     3369E-1688819
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STH150N10F7-2
EAN/GTIN:
     5059042353587
Termini di ricerca:
Transistor a effetto campo
Transistor a effetto di campo
Transistor di potenza
MOSFET
STripFET™ DeepGate™ canale N, STMicroelectronics. I MOSFET STripFET™ con gamma di tensione di scarica distruttiva offrono una carica di gate ultra-bassa e bassa resistenza all'accensione.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
110 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
H2PAK-2
Serie:
DeepGate, STripFET
Tipo di montaggio:
Montaggio superficiale
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
3,9 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4.5V
Tensione di soglia gate minima:
2.5V
Dissipazione di potenza massima:
250 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.4mm
Altri termini di ricerca: transistor a effetto campo, 1688819, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STH150N10F72
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