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IGBT STMicroelectronics, VCE 600 V, IC 60 A, canale N, TO-247


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N. Articolo:
     3369E-1687752
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STGW30NC60WD
EAN/GTIN:
     5059042353365
Termini di ricerca:
Transistor IGBT
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
ESBT discreti, ST Microelectronics
Altre informazioni:
Corrente massima continuativa collettore:
60 A
Tensione massima collettore emitter:
600 V
Tensione massima gate emitter:
±20V
Dissipazione di potenza massima:
200 W
Tipo di package:
TO-247
Tipo di montaggio:
Su foro
Tipo di canale:
N
Numero pin:
3
Velocità di switching:
1MHz
Configurazione transistor:
Singolo
Dimensioni:
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Minima temperatura operativa:
-55 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, transistor igbt, 1687752, Semiconduttori, Discreti, IGBT, STMicroelectronics, STGW30NC60WD
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 2W, Vin 4,5 → 5,5 V c.c., Vout -8.7 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ2D051509SC
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Accessori
Convertitore c.c.-c.c. 3W, Vin 4,5 → 9 V c.c., Vout 5 V dc, 15V cc, 5.2kV cc
Murata
MGJ3T05150505MC-R7
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