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MOSFET STMicroelectronics, canale N, 295 mΩ, 17 A, TO-220, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1687548
Produttore:
     ST Microelectronics
N. Art. Produtt.:
     STP18NM80
EAN/GTIN:
     5059042331585
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MDmesh™ a canale N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
17 A
Tensione massima drain source:
800 V
Tipo di package:
TO-220
Serie:
MDmesh
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
295 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
190 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
10.4mm
Altri termini di ricerca: transistor di potenza, 1687548, Semiconduttori, Discreti, STMicroelectronics, STP18NM80
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