MOSFET Infineon, canale N, 7 mΩ, 86 A, DirectFET isometrico, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza DirectFET®, Infineon. Il contenitore di potenza DirectFET® è una tecnologia di packaging dei MOSFET di potenza a montaggio superficiale. Il MOSFET DirectFET® è una soluzione che consente di ridurre le perdite energetiche offrendo al contempo un minore ingombro della struttura in applicazioni di commutazione avanzate. La più bassa resistenza del settore nei rispettivi ingombri Resistenza del contenitore estremamente bassa per ridurre al minimo le perdite di conduzione Il raffreddamento su due lati estremamente efficiente migliora notevolmente la densità di potenza, i costi e l'affidabilità Profilo basso di soli 0,7 mm