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MOSFET Infineon, canale N, 8,6 mΩ, 97 A, TO-220, Su foro


Quantità:  pacchetto  
Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1685946
Produttore:
     Infineon
N. Art. Produtt.:
     IRF100B202
EAN/GTIN:
     5059043391564
Termini di ricerca:
MOSFET di potenza
MOSFET
mosfet di potenza
MOSFET di potenza StrongIRFET™, Infineon. La famiglia StrongIRFET di Infineon è ottimizzata per offrire bassa resistenza R ;sub>DS ;/sub>(on) e capacità di corrente elevata. Questa gamma offre un gate migliorato, resistenza dv/dt a valanga e dinamica ideale per applicazioni a bassa frequenza, compresi azionamenti, utensili elettrici, inverter e gestione della batteria in cui prestazioni e robustezza sono dei fattori fondamentali.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
97 A
Tensione massima drain source:
100 V
Tipo di package:
TO-220
Serie:
HEXFET
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
8,6 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
4V
Tensione di soglia gate minima:
2V
Dissipazione di potenza massima:
221 W
Tensione massima gate source:
-20 V, +20 V
Lunghezza:
10.67mm
Massima temperatura operativa:
+175 °C
Altri termini di ricerca: 1685946, Semiconduttori, Discreti, Infineon, IRF100B202
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