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MOSFET IXYS, canale N, 1,3 Ω, 12 A, TO-247, Su foro


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N. Articolo:
     3369E-1684606
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXTH12N100L
EAN/GTIN:
     5059041371506
Termini di ricerca:
FET di giunzione
Transistor
Transistor di potenza
MOSFET
MOSFET di potenza a canale N, IXYS serie lineare. MOSFET di potenza canale N progettato specificamente per il funzionamento lineare. Questi dispositivi sono caratterizzati da polarizzazione estesa in avanti (FBSOA) per una maggiore robustezza e affidabilità.
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
12 A
Tensione massima drain source:
1000 V
Tipo di package:
TO-247
Serie:
Linear
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
1,3 Ω
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Dissipazione di potenza massima:
400 W
Configurazione transistor:
Singolo
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
16.26mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: Transistori, Transistore, mosfet 12a, transistor di potenza, 1684606, Semiconduttori, Discreti, IXYS, IXTH12N100L
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