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MOSFET IXYS, canale N, 52 mΩ, 70 A, ISOPLUS264, Su foro


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Informazioni sul prodotto
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N. Articolo:
     3369E-1684575
Produttore:
     IXYS
N. Art. Produtt.:
     IXFL100N50P
EAN/GTIN:
     5059041336147
Termini di ricerca:
MOSFET
MOSFET di potenza a canale N, HiPerFET serie PolarHV IXYS. Gamma di MOSFET di potenza a modalità potenziata a canale N serie PolarHV™ IXYS con diodo intrinseco rapido (HiPerFET™)
Altre informazioni:
Tipo di canale:
N
Corrente massima continuativa di drain:
70 A
Tensione massima drain source:
500 V
Tipo di package:
ISOPLUS264
Serie:
PolarHVTM HiPerFET
Tipo di montaggio:
Su foro
Numero pin:
3
Resistenza massima drain source:
52 mΩ
Modalità del canale:
Enhancement
Tensione di soglia gate massima:
5V
Tensione di soglia gate minima:
3V
Dissipazione di potenza massima:
625 W
Tensione massima gate source:
-30 V, +30 V
Lunghezza:
20.29mm
Massima temperatura operativa:
+150 °C
Altri termini di ricerca: 1684575, Semiconduttori, Discreti, IXYS, IXFL100N50P
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